关键概念
VSEPR 理论
价层电子对互斥理论：电子群相互排斥并尽可能远离
孤对电子排斥
孤对电子比成键电子对占据更多空间，通常会压缩相邻键角（例如将理想的 109.5° 压缩至水分子的 104.5°）
电子与分子几何
电子几何形状包括所有电子对；分子几何形状仅描述原子的排列
理解 VSEPR 理论
价层电子对互斥 (VSEPR) 理论是化学中用来根据中心原子周围的电子对（成键对和孤对）数量预测分子几何形状的科学模型。
该理论的核心前提是，电子对带负电并相互排斥，它们会尽可能远离地排列在中心原子周围，以最大限度地减少这种排斥并决定分子的 3D 形状。
通过可视化成键对和孤对的排斥效应，我们可以直接预测分子的极性、反应性和物理性质。
常见分子几何形状
| 电子域 | 成键对 | 孤对 | 分子形状 | 理想键角 |
|---|---|---|---|---|
| 2 | 2 | 0 | 直线形 | 180° |
| 3 | 3 | 0 | 平面三角形 | 120° |
| 3 | 2 | 1 | V 形 / 弯曲形 | < 120° |
| 4 | 4 | 0 | 正四面体 | 109.5° |
| 4 | 3 | 1 | 三角锥形 | < 109.5° |
| 4 | 2 | 2 | V 形 / 弯曲形 | << 109.5° |
| 5 | 5 | 0 | 三角双锥 | 90°, 120° |
| 6 | 6 | 0 | 八面体 | 90° |
